casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN3R5-30YL,115
codice articolo del costruttore | PSMN3R5-30YL,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN3R5-30YL,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN3R5-30YL,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2458pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R5-30YL,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN3R5-30YL,115-FT |
PMT21EN,135
NXP USA Inc.
PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMT29EN,115
NXP USA Inc.
PMT29EN,135
NXP USA Inc.
PMT760EN,115
NXP USA Inc.
PMT760EN,135
NXP USA Inc.
PMCM440VNEZ
Nexperia USA Inc.
FDZ661PZ
ON Semiconductor
FDZ371PZ
ON Semiconductor
FDZ375P
ON Semiconductor
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel