casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN3R5-30YL,115
codice articolo del costruttore | PSMN3R5-30YL,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN3R5-30YL,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN3R5-30YL,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2458pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 74W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R5-30YL,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN3R5-30YL,115-FT |
PMT21EN,135
NXP USA Inc.
PMT280ENEAX
Nexperia USA Inc.
PMT29EN,115
NXP USA Inc.
PMT29EN,135
NXP USA Inc.
PMT760EN,115
NXP USA Inc.
PMT760EN,135
NXP USA Inc.
PMCM440VNEZ
Nexperia USA Inc.
FDZ661PZ
ON Semiconductor
FDZ371PZ
ON Semiconductor
FDZ375P
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel