casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7Y59-60EX
codice articolo del costruttore | BUK7Y59-60EX |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7Y59-60EX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7Y59-60EX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 494pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y59-60EX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7Y59-60EX-FT |
PMT29EN,115
NXP USA Inc.
PMT29EN,135
NXP USA Inc.
PMT760EN,115
NXP USA Inc.
PMT760EN,135
NXP USA Inc.
PMCM440VNEZ
Nexperia USA Inc.
FDZ661PZ
ON Semiconductor
FDZ371PZ
ON Semiconductor
FDZ375P
ON Semiconductor
FDZ663P
ON Semiconductor
PMZB290UNE2YL
Nexperia USA Inc.
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel