casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK965R8-100E,118
codice articolo del costruttore | BUK965R8-100E,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK965R8-100E,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK965R8-100E,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 17460pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 357W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK965R8-100E,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK965R8-100E,118-FT |
PHT11N06LT,135
NXP USA Inc.
PHT2NQ10T,135
NXP USA Inc.
PHT6N06LT,135
NXP USA Inc.
PHT6N06T,135
NXP USA Inc.
PHT8N06LT,135
NXP USA Inc.
BSS192,115
Nexperia USA Inc.
BSS192,135
Nexperia USA Inc.
BSS87,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R3-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK9635-55A,118
Nexperia USA Inc.
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation