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NXP USA Inc. PHT11N06LT,135

Name: PHT11N06LT,135
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHT11N06LT,135
Availability: InStock
Rating: 4.5 (725 reviews)

Numero parte MFG: PHT11N06LT,135

quantità disponibile: 20380 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PHT11N06LT,135.pdf

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PHT11N06LT,135 specificazioni

codice articolo del costruttore	PHT11N06LT,135
Numero di parte futuro	FT-PHT11N06LT,135
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHT11N06LT,135 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 5V
Vgs (massimo)	±13V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHT11N06LT,135 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PHT11N06LT,135-FT

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