casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN1R3-30YL,115
codice articolo del costruttore | PSMN1R3-30YL,115 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PSMN1R3-30YL,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN1R3-30YL,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6227pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 121W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SOT-1023, 4-LFPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R3-30YL,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN1R3-30YL,115-FT |
BUK9520-55,127
NXP USA Inc.
BUK9520-55A,127
NXP USA Inc.
BUK9523-75A,127
NXP USA Inc.
BUK9524-55A,127
NXP USA Inc.
BUK9528-100A,127
NXP USA Inc.
BUK9528-55A,127
NXP USA Inc.
BUK9529-100B,127
Nexperia USA Inc.
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.
BUK952R8-30B,127
Nexperia USA Inc.
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel