casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9518-55,127
codice articolo del costruttore | BUK9518-55,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9518-55,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK9518-55,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 57A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9518-55,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9518-55,127-FT |
PSMN2R7-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN2R5-60PLQ
Nexperia USA Inc.
PSMN3R9-60PSQ
Nexperia USA Inc.
PSMN3R4-30PL,127
Nexperia USA Inc.
BUK6507-55C,127
NXP USA Inc.
BUK6507-75C,127
Nexperia USA Inc.
BUK6510-75C,127
NXP USA Inc.
BUK652R0-30C,127
NXP USA Inc.
BUK652R1-30C,127
NXP USA Inc.
BUK652R3-40C,127
NXP USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel