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NXP USA Inc. BUK652R1-30C,127

Name: BUK652R1-30C,127
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BUK652R1-30C,127
Availability: InStock
Rating: 4.9 (695 reviews)

Numero parte MFG: BUK652R1-30C,127

quantità disponibile: 94540 pezzi

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fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BUK652R1-30C,127.pdf

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BUK652R1-30C,127 specificazioni

codice articolo del costruttore	BUK652R1-30C,127
Numero di parte futuro	FT-BUK652R1-30C,127
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
BUK652R1-30C,127 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	168nC @ 10V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10918pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	263W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK652R1-30C,127 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BUK652R1-30C,127-FT

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