casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMT29EN,135
codice articolo del costruttore | PMT29EN,135 |
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Numero di parte futuro | FT-PMT29EN,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMT29EN,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 492pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 820mW (Ta), 8.33W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMT29EN,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMT29EN,135-FT |
BUK9107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VPEZ
Nexperia USA Inc.
PMCM650VNEZ
Nexperia USA Inc.
PHK04P02T,518
Nexperia USA Inc.
PHK12NQ03LT,518
Nexperia USA Inc.
PHK12NQ10T,518
NXP USA Inc.
PHK13N03LT,518
Nexperia USA Inc.
PHK18NQ03LT,518
Nexperia USA Inc.
PHK24NQ04LT,518
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PHK28NQ03LT,518
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