casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMZB290UNE2YL
codice articolo del costruttore | PMZB290UNE2YL |
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Numero di parte futuro | FT-PMZB290UNE2YL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMZB290UNE2YL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta), 5.43W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006B-3 |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB290UNE2YL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMZB290UNE2YL-FT |
PHK24NQ04LT,518
NXP USA Inc.
PHK28NQ03LT,518
NXP USA Inc.
PHK31NQ03LT,518
Nexperia USA Inc.
PHK4NQ10T,518
NXP USA Inc.
PHK4NQ20T,518
NXP USA Inc.
PHK5NQ15T,518
Nexperia USA Inc.
PMK30EP,518
Nexperia USA Inc.
PMK35EP,518
Nexperia USA Inc.
PMK50XP,518
Nexperia USA Inc.
PSMN005-30K,518
Nexperia USA Inc.
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel