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Rohm Semiconductor RDN080N25FU6

Name: RDN080N25FU6
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RDN080N25FU6
Availability: InStock
Rating: 4.9 (579 reviews)

Numero parte MFG: RDN080N25FU6

quantità disponibile: 90050 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Rohm Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RDN080N25FU6.pdf

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RDN080N25FU6 specificazioni

codice articolo del costruttore	RDN080N25FU6
Numero di parte futuro	FT-RDN080N25FU6
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RDN080N25FU6 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	543pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220FN
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RDN080N25FU6 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RDN080N25FU6-FT

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