casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7905-40ATE,127
codice articolo del costruttore | BUK7905-40ATE,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7905-40ATE,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK7905-40ATE,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4500pF @ 25V |
Caratteristica FET | Temperature Sensing Diode |
Dissipazione di potenza (max) | 272W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-5 |
Pacchetto / caso | TO-220-5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7905-40ATE,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7905-40ATE,127-FT |
NVMFS5C645NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C645NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C645NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C645NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C646NLAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C646NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C646NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C646NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C646NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C646NLWFT3G
ON Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel