casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NVMFS5C646NLT3G
codice articolo del costruttore | NVMFS5C646NLT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NVMFS5C646NLT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NVMFS5C646NLT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta), 93A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2164pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NVMFS5C646NLT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NVMFS5C646NLT3G-FT |
NVMFS5C406NT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C406NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C410NT1G
ON Semiconductor
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation