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ON Semiconductor NVMFS5C646NLT1G

Numero parte MFG
NVMFS5C646NLT1G
quantità disponibile
98080 pezzi
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 60V 20A SO8FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore NVMFS5C646NLT1G
Numero di parte futuro FT-NVMFS5C646NLT1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NVMFS5C646NLT1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta), 93A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2164pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 79W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NVMFS5C646NLT1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NVMFS5C646NLT1G-FT

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