casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK6C3R3-75C,118
codice articolo del costruttore | BUK6C3R3-75C,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK6C3R3-75C,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK6C3R3-75C,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 181A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 253nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 15800pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK6C3R3-75C,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK6C3R3-75C,118-FT |
BSL307SP
Infineon Technologies
BSL307SPL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSL307SPT
Infineon Technologies
BSL372SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL373SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL606SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL716SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL802SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL802SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
PMN15UN,115
NXP USA Inc.
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation