casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK662R5-30C,118
codice articolo del costruttore | BUK662R5-30C,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK662R5-30C,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK662R5-30C,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6960pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 204W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK662R5-30C,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK662R5-30C,118-FT |
PSMN1R3-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK9635-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK663R2-40C,118
Nexperia USA Inc.
BUK765R3-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9614-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK96180-100A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.
BUK6610-75C,118
Nexperia USA Inc.
BUK763R9-60E,118
Nexperia USA Inc.
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel