casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN3R3-80BS,118
codice articolo del costruttore | PSMN3R3-80BS,118 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN3R3-80BS,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN3R3-80BS,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8161pF @ 40V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 306W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN3R3-80BS,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN3R3-80BS,118-FT |
BUK9529-100B,127
Nexperia USA Inc.
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.
BUK952R8-30B,127
Nexperia USA Inc.
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9535-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9535-55,127
NXP USA Inc.
BUK9535-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK953R2-40B,127
Nexperia USA Inc.
BUK953R2-40E,127
NXP USA Inc.
BUK953R5-60E,127
Nexperia USA Inc.
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel