casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP07N60CFDHKSA1
codice articolo del costruttore | SPP07N60CFDHKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPP07N60CFDHKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPP07N60CFDHKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 300µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP07N60CFDHKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP07N60CFDHKSA1-FT |
IPP65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R150CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190C7FKSA1
Infineon Technologies
IPP65R190CFDAAKSA1
Infineon Technologies
IPP65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R280E6XKSA1
Infineon Technologies