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codice articolo del costruttore | BSC042NE7NS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC042NE7NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC042NE7NS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 37.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC042NE7NS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC042NE7NS3GATMA1-FT |
BSC052N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC0902NSATMA1
Infineon Technologies
BSC16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC340N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ105N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC017N04NSGATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel