casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC042N03S G
codice articolo del costruttore | BSC042N03S G |
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Numero di parte futuro | FT-BSC042N03S G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC042N03S G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta), 95A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3660pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC042N03S G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC042N03S G-FT |
BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSC050N04LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC052N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC0902NSATMA1
Infineon Technologies
BSC16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC340N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ105N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03LSGATMA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel