casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R380E6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R380E6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R380E6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA60R380E6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 320µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 31W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R380E6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R380E6XKSA1-FT |
IPA65R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R500C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel