casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R450E6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R450E6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R450E6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA60R450E6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R450E6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R450E6XKSA1-FT |
IPA90R500C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R460CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel