casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R450E6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R450E6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R450E6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA60R450E6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 280µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R450E6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R450E6XKSA1-FT |
IPA90R500C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA90R1K0C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R380C6XKSA1
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IPA90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R460CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
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5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
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XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation