casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R800CEXKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R800CEXKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IPA60R800CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ CE |
IPA60R800CEXKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 373pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 27W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R800CEXKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R800CEXKSA1-FT |
IPA90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R460CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAN60R800CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
IPAW60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel