casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R750E6XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R750E6XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R750E6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPA60R750E6XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.2nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 373pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 27W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R750E6XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R750E6XKSA1-FT |
IPA60R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA90R800C3XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R460CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPAN60R800CEXKSA1
Infineon Technologies
IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel