casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1132T100R
codice articolo del costruttore | 2SB1132T100R |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1132T100R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1132T100R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 100mA, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1132T100R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1132T100R-FT |
2SD2144STPV
Rohm Semiconductor
2SD2144STPW
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2SD2227STPW
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2SD2705STP
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2SCR552P5T100
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