casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1132T100Q
codice articolo del costruttore | 2SB1132T100Q |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1132T100Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1132T100Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1132T100Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1132T100Q-FT |
2SD2144STPU
Rohm Semiconductor
2SD2144STPV
Rohm Semiconductor
2SD2144STPW
Rohm Semiconductor
2SD2227STPW
Rohm Semiconductor
2SD2705STP
Rohm Semiconductor
2SCR552P5T100
Rohm Semiconductor
2SCR346PT100Q
Rohm Semiconductor
2SD1898T100R
Rohm Semiconductor
2SCR554PT100
Rohm Semiconductor
2SCR544PT100
Rohm Semiconductor
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel