casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS205NH6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSS205NH6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS205NH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSS205NH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 11µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS205NH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS205NH6327XTSA1-FT |
STT7P2UH7
STMicroelectronics
BSS123L
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FDN342P
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2N7002K-T1-E3
Vishay Siliconix
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
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LCMXO3LF-6900C-6BG400C
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EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXEB6R3F43C2LN
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