codice articolo del costruttore | BSS138 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS138 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSS138 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 220mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS138 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS138-FT |
SI1431DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDG313N
ON Semiconductor
FDG313N_D87Z
ON Semiconductor
FDG314P
ON Semiconductor
FDG326P
ON Semiconductor
FDG329N
ON Semiconductor
FDG330P
ON Semiconductor
FDG361N
ON Semiconductor
PMG370XN,115
NXP USA Inc.
PMG45UN,115
NXP USA Inc.
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel