casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FDN86265P
codice articolo del costruttore | FDN86265P |
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Numero di parte futuro | FT-FDN86265P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDN86265P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 800mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 75V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDN86265P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDN86265P-FT |
SI1404BDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1431DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1431DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
FDG313N
ON Semiconductor
FDG313N_D87Z
ON Semiconductor
FDG314P
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FDG326P
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FDG329N
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FDG330P
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FDG361N
ON Semiconductor
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
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10CL025ZE144I8G
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EP3SE50F780I3
Intel