casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSS123W-7
codice articolo del costruttore | BSS123W-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BSS123W-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BSS123W-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123W-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSS123W-7-FT |
DMP3028LFDE-7
Diodes Incorporated
DMN1019UFDE-7
Diodes Incorporated
DMP1022UFDE-7
Diodes Incorporated
DMP3028LFDE-13
Diodes Incorporated
DMN6040SFDE-7
Diodes Incorporated
DMP4047LFDE-7
Diodes Incorporated
DMP2021UFDE-13
Diodes Incorporated
DMN2013UFDE-7
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
DMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
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