casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP02N60S5HKSA1
codice articolo del costruttore | SPP02N60S5HKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPP02N60S5HKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPP02N60S5HKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP02N60S5HKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP02N60S5HKSA1-FT |
IPP60R520CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R520E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R600P6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R750E6XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R950C6XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel