casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSP716NH6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BSP716NH6327XTSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSP716NH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSP716NH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 218µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP716NH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSP716NH6327XTSA1-FT |
IRFHM9391TRPBF
Infineon Technologies
IRLH6224TR2PBF
Infineon Technologies
IRLH6224TRPBF
Infineon Technologies
IRLH7134TR2PBF
Infineon Technologies
IRLHM620TRPBF
Infineon Technologies
IPB10N03LB
Infineon Technologies
IPB10N03LB G
Infineon Technologies
IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel