casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB10N03LB
codice articolo del costruttore | IPB10N03LB |
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Numero di parte futuro | FT-IPB10N03LB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPB10N03LB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1639pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 58W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB10N03LB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB10N03LB-FT |
BSC440N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC500N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC600N25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC670N25NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC882N03MSGATMA1
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BSC883N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC883N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC884N03MS G
Infineon Technologies
BSC886N03LSGATMA1
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BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
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LFE3-95EA-6FN672I
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LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
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EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel