casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPU07N03LA
codice articolo del costruttore | IPU07N03LA |
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Numero di parte futuro | FT-IPU07N03LA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPU07N03LA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2653pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO251-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU07N03LA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPU07N03LA-FT |
BSZ180P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ180P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ240N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S52R8ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S5L1R1ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Infineon Technologies
IPC100N04S5L2R6ATMA1
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel