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Infineon Technologies BSO613SPVGHUMA1

Numero parte MFG
BSO613SPVGHUMA1
quantità disponibile
53010 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.36652
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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BSO613SPVGHUMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore BSO613SPVGHUMA1
Numero di parte futuro FT-BSO613SPVGHUMA1
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie SIPMOS®
BSO613SPVGHUMA1 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.44A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3.44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 875pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-DSO-8
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO613SPVGHUMA1 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSO613SPVGHUMA1-FT

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