casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP15N65C3HKSA1
codice articolo del costruttore | SPP15N65C3HKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-SPP15N65C3HKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPP15N65C3HKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 9.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP15N65C3HKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP15N65C3HKSA1-FT |
IPP80N04S2H4AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S2H4AKSA2
Infineon Technologies
IPP80N04S2L03AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S3-04
Infineon Technologies
IPP80N04S303AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S306AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S3H4AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S403AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S404AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S4L04AKSA1
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation