casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SPP11N80C3XKSA1
codice articolo del costruttore | SPP11N80C3XKSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SPP11N80C3XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
SPP11N80C3XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPP11N80C3XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SPP11N80C3XKSA1-FT |
IPP77N06S3-09
Infineon Technologies
IPP80CN10NGHKSA1
Infineon Technologies
IPP80N03S4L04AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S204AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S2H4AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S2H4AKSA2
Infineon Technologies
IPP80N04S2L03AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S3-04
Infineon Technologies
IPP80N04S303AKSA1
Infineon Technologies
IPP80N04S306AKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel