casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSO040N03MSGXUMA1
codice articolo del costruttore | BSO040N03MSGXUMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSO040N03MSGXUMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSO040N03MSGXUMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-DSO-8 |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO040N03MSGXUMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSO040N03MSGXUMA1-FT |
SPP07N60S5
Infineon Technologies
SPP07N65C3HKSA1
Infineon Technologies
SPP08N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP08N80C3XK
Infineon Technologies
SPP08N80C3XKSA1
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SPP08P06PBKSA1
Infineon Technologies
SPP100N03S2-03
Infineon Technologies
SPP100N03S203
Infineon Technologies
SPP100N03S2L-03
Infineon Technologies
SPP100N03S2L03
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
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AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
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LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel