casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT50DA170D1G
codice articolo del costruttore | APTGT50DA170D1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APTGT50DA170D1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT50DA170D1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Single |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 70A |
Potenza - Max | 310W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 6mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.4nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | D1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT50DA170D1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT50DA170D1G-FT |
APTGF75SK60D1G
Microsemi Corporation
APTGF90A60D1G
Microsemi Corporation
APTGF90A60TG
Microsemi Corporation
APTGF90DA60CT1G
Microsemi Corporation
APTGF90DA60D1G
Microsemi Corporation
APTGF90DA60T1G
Microsemi Corporation
APTGF90DA60TG
Microsemi Corporation
APTGF90DH60TG
Microsemi Corporation
APTGF90H60TG
Microsemi Corporation
APTGF90SK60D1G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel