casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT50A1202G
codice articolo del costruttore | APTGT50A1202G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT50A1202G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT50A1202G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 75A |
Potenza - Max | 277W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.6nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT50A1202G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT50A1202G-FT |
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation
APTGF75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGF75DA60D1G
Microsemi Corporation
APTGF75DDA120TG
Microsemi Corporation
APTGF75DH120TG
Microsemi Corporation
APTGF75SK60D1G
Microsemi Corporation
APTGF90A60D1G
Microsemi Corporation
APTGF90A60TG
Microsemi Corporation
APTGF90DA60CT1G
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel