casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / BSL806NL6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BSL806NL6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSL806NL6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSL806NL6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 10V |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSOP-6-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSL806NL6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSL806NL6327HTSA1-FT |
FDG6306P
ON Semiconductor
FDG6308P
ON Semiconductor
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FDG6332C-F085
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FDG6335N
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FDG8842CZ
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XC3S1500-5FGG320C
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XA6SLX16-2FTG256I
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XC2S200-6FGG256C
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AT40K10-2DQI
Microchip Technology
5SGXMA7N3F45C3
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5SGXMA9N2F45I2N
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XC7VX690T-1FFG1930C
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LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
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LCMXO2-1200HC-4MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
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