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ON Semiconductor FDG6335N

Numero parte MFG
FDG6335N
quantità disponibile
39490 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.194464
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
PowerTrench® MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FDG6335N specificazioni

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Numero di parte futuro FT-FDG6335N
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie PowerTrench®
FDG6335N Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 700mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V
Potenza - Max 300mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SC-88 (SC-70-6)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDG6335N Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FDG6335N-FT

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