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NXP USA Inc. BSH112,235

Numero parte MFG
BSH112,235
quantità disponibile
81760 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore BSH112,235
Numero di parte futuro FT-BSH112,235
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
BSH112,235 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) ±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 830mW (Tc)
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23)
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSH112,235 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio BSH112,235-FT

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