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codice articolo del costruttore | BUK625R0-40C,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK625R0-40C,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK625R0-40C,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 158W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK625R0-40C,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK625R0-40C,118-FT |
PSMN1R1-30EL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN017-30EL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN5R0-100ES,127
Nexperia USA Inc.
BUK9E08-55B,127
Nexperia USA Inc.
PSMN6R3-120ESQ
Nexperia USA Inc.
BUK7E5R2-100E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E2R3-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E13-60E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-100ES,127
Nexperia USA Inc.
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
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5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
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XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation