casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7210-55B/C1,118
codice articolo del costruttore | BUK7210-55B/C1,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7210-55B/C1,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7210-55B/C1,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2453pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 185°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7210-55B/C1,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7210-55B/C1,118-FT |
BUK9E08-55B,127
Nexperia USA Inc.
PSMN6R3-120ESQ
Nexperia USA Inc.
BUK7E5R2-100E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E2R3-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E13-60E,127
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-100ES,127
Nexperia USA Inc.
BUK7E4R6-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK6E2R0-30C,127
Nexperia USA Inc.
BUK6E2R3-40C,127
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel