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Infineon Technologies IPC100N04S51R9ATMA1

Name: IPC100N04S51R9ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R9ATMA1
Price: 0.418184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (600 reviews)

Numero parte MFG: IPC100N04S51R9ATMA1

quantità disponibile: 96550 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.418184

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ N-CHANNEL30/40V

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: IPC100N04S51R9ATMA1.pdf

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IPC100N04S51R9ATMA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	IPC100N04S51R9ATMA1
Numero di parte futuro	FT-IPC100N04S51R9ATMA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPC100N04S51R9ATMA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3770pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8-34
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC100N04S51R9ATMA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	IPC100N04S51R9ATMA1-FT

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