casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC0503NSIATMA1
codice articolo del costruttore | BSC0503NSIATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSC0503NSIATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC0503NSIATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 88A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 36W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC0503NSIATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC0503NSIATMA1-FT |
BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC017N04NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC020N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC024NE2LSATMA1
Infineon Technologies
BSC025N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC026NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC030N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC034N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC036NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel