casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC017N04NSGATMA1
codice articolo del costruttore | BSC017N04NSGATMA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BSC017N04NSGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC017N04NSGATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC017N04NSGATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC017N04NSGATMA1-FT |
IRF7834PBF
Infineon Technologies
IRF7834TR
Infineon Technologies
IRF7834TRPBF
Infineon Technologies
IRF7842PBF
Infineon Technologies
IRF7842TR
Infineon Technologies
IRF7853PBF
Infineon Technologies
IRF7853TRPBF
Infineon Technologies
IRF7854PBF
Infineon Technologies
IRF7854TRPBF
Infineon Technologies
IRF7855PBF
Infineon Technologies