casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC036NE7NS3GATMA1
codice articolo del costruttore | BSC036NE7NS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC036NE7NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC036NE7NS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 110µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 37.5V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC036NE7NS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC036NE7NS3GATMA1-FT |
IRF7854PBF
Infineon Technologies
IRF7854TRPBF
Infineon Technologies
IRF7855PBF
Infineon Technologies
IRF7855TRPBF
Infineon Technologies
IRF7862TRPBF
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IRF8113
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
IRF8113GTRPBF
Infineon Technologies
IRF8113PBF
Infineon Technologies
IRF8113TR
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel