casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC16DN25NS3GATMA1
codice articolo del costruttore | BSC16DN25NS3GATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC16DN25NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC16DN25NS3GATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10.9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC16DN25NS3GATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC16DN25NS3GATMA1-FT |
IRF7831TRPBF
Infineon Technologies
IRF7832PBF
Infineon Technologies
IRF7832TR
Infineon Technologies
IRF7832Z
Infineon Technologies
IRF7832ZTR
Infineon Technologies
IRF7834
Infineon Technologies
IRF7834PBF
Infineon Technologies
IRF7834TR
Infineon Technologies
IRF7834TRPBF
Infineon Technologies
IRF7842PBF
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel