casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BSC014N06NSTATMA1
codice articolo del costruttore | BSC014N06NSTATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BSC014N06NSTATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
BSC014N06NSTATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.3V @ 120µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8125pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 188W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 FL |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC014N06NSTATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BSC014N06NSTATMA1-FT |
IRFI1310N
Infineon Technologies
IRFI520N
Infineon Technologies
IRFI530N
Infineon Technologies
IRFIZ24E
Infineon Technologies
IRFIZ34E
Infineon Technologies
IRFIZ46N
Infineon Technologies
IRFIZ48N
Infineon Technologies
IRLI2203N
Infineon Technologies
IRLI2505
Infineon Technologies
IRLI3803
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel